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晶振的電容如何選取和計算?聽聽高工怎么說

作者: 科琪科技 編輯: 科琪科技 來源: 科琪科技 發布日期: 2019.01.10
信息摘要:
晶振的電容如何選取和計算?對于許多剛進入晶振行業的技術人員來說,如果電容不匹配怎么解決?這里幫大家知道了辦法

本文是論壇里一個高工作的一次實驗,這次對于晶振電容的算去和計算,不僅具有理論性,還具有實操性。可以幫助大家解決不少問題。

今天要做晶振的second source,把晶振焊上去后發現普遍比較低,要求是 25M +/-20ppm ,就是說偏差不超過 500Hz ,但是測量三片,只有一片合格,其他兩片均偏小幾百赫茲。查了數據手冊得知實際頻率和標稱頻率之間的關系:

Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2)

CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs為雜散電容, Cg Cd為我們外部加的兩個電容,通常大家取值相等,它們對串聯起來加上雜散電容即為晶振的負載電容 CL.

晶振

具體公式不用細想,我們可以從中得知負載電容的減小可以使實際頻率Fx變大,

我們可以改變的只有CgCd,通過初步的計算發現 CL 改變 1pF,Fx可以改變幾百Hz

原有電路使用的是33pF的兩個電容,則并聯起來是16.5pF,我們的貼片電容只有 27pF,33pF 39pF,所以我們選用了27pF 39pF并聯,則電容為15.95pF 。電容焊好后,測量比原來大了 200 多赫茲,落在了設計范圍內。

結論:晶振電路上的兩個電容可以不相等,通過微調電容的值可以微調晶振的振蕩頻率,不過如果你測了幾片晶振,頻率有大有小,而且偏移較大,那么這個晶振就是不合格的。


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